Huawei تخطط reportedly لإنتاج شريحة 3nm بحلول عام 2026

وفقًا لمصادر في القطاع، يُقال إن Huawei تستعد لاتخاذ خطوة كبرى أخرى في استراتيجية عودتها من خلال دخول إنتاج رقائق 3nm بحلول عام 2026. وستُشكّل هذه الخطوة قفزة تكنولوجية كبيرة للشركة وقطاع أشباه الموصلات الصيني، خاصة في ظل القيود الأمريكية طويلة الأمد التي قطعت عن Huawei أدوات التصنيع المتقدمة وخطوط التجميع (الـ foundries).

على الرغم من التحديات المستمرة، حققت Huawei تقدمًا ملحوظًا في تطوير شرائحها الداخلية عبر ذراعها هيسيليكون (HiSilicon)، وبالتعاون مع شركة SMIC (الشركة الدولية لتصنيع أشباه الموصلات)، وهي الرائدة في الصين في مجال مصانع تصنيع أشباه الموصلات. وبينما لا تزال SMIC تعمل دون الوصول إلى آلات الطباعة الضوئية المتطورة من نوع EUV (الأشعة فوق البنفسجية القصوى) بسبب ضوابط التصدير الأمريكية، يُشاع أن الشركة تستخدم تقنيات مبتكرة من نوع DUV (الأشعة فوق البنفسجية العميقة) واستراتيجيات متعددة الأنماط لدفع عجلة تطور عقد التصنيع إلى الأمام.

تشير مصادر إلى أن Huawei و SMIC تضعان الأسس لبدء إنتاج رقائق من فئة 3nm بحلول عام 2026، وذلك بعد النجاح المبلغ عنه في تطوير رقائق 7nm و 5nm ضمن دفعات محدودة. وقد لا يتطابق الإنتاج مع معدلات العائد أو الكفاءة التي تحققها الرقائق الصادرة عن قادة الصناعة مثل TSMC أو Samsung، لكنه يشير إلى طموح تكنولوجي جرياح وإمكانية وجود بدائل محلية في البنية التكنولوجية الصينية.

يأتي هذا التطور المبلغ عنه بعد أن فاجأ Huawei صناعة التكنولوجيا العالمية في عامي 2023 و2024 بإطلاق هواتف ذكية جديدة، مثل سلسلة Mate 60، التي تعمل بمعالج Kirin 9000S، وهو معالج 7nm يُقال إنه أُنتج تحت عقوبات أمريكية. ورغم الشكوك حول تكافؤ الأداء وحجم الإنتاج، فإن هذا الحدث مثّل عودة Huawei إلى تصنيع الرقائق المتقدمة.

إذا نجحت Huawei وSMIC فعليًا في تحقيق أي نجاح جزئي على مستوى 3nm، فإن ذلك سيكون علامة رمزية واستراتيجية مهمة – ليس لـ Huawei فحسب، بل لدفع الصين الأوسع نحو الاكتفاء الذاتي في صناعة أشباه الموصلات.