Samsung Electronics ha anunciado que ha comenzado la producción masiva de su última solución de memoria para teléfonos inteligentes, el mChip Multicanal basado en LPDDR5 UFS (uMCP).
Según Samsung, el uMCP integra la DRAM LPDDR5 más rápida con la última memoria flash NAND UFS 3.1, ofreciendo un rendimiento de gama alta a una gama mucho más amplia de usuarios de teléfonos inteligentes. Basado en las últimas interfaces móviles de DRAM y NAND, el uMCP de Samsung puede ofrecer velocidades rápidas como rayos y gran capacidad de almacenamiento con un consumo de energía muy bajo. Esta combinación permite que más consumidores utilicen aplicaciones 5G que anteriormente solo estaban disponibles en modelos insignia premium. Tales capacidades de gama alta son posibles gracias a una mejora de casi el 50% en el rendimiento de la DRAM, pasando de 17GB por segundo a 25GB, y al doble del rendimiento de la memoria flash NAND, que pasa de 1.5GB a 3GB.
El nuevo uMCP también maximiza la eficiencia del espacio dentro de un smartphone al integrar DRAM y almacenamiento NAND en un único paquete compacto que mide 11.5 x 13mm, permitiendo más espacio para otras funciones. Con capacidades de DRAM que van desde 6GB hasta 12GB y opciones de almacenamiento desde 128GB hasta 512GB.
Además, Samsung ha completado las pruebas de compatibilidad del uMCP LPDDR5 con varios fabricantes globales de teléfonos inteligentes y espera que sus dispositivos equipados con uMCP lleguen al mercado a partir de este mes.
Fuente: Samsung Electrónica
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