Samsung 开始生产第二代 16Gb LPDDR4X 移动 DRAM

Samsung Electronics 已宣布，他们今天开始生产第二代 10nm 16Gb 低功耗双数据速率 4X (LPDDR4X) 移动 DRAM。

根据Samsung，第二代 LPDDR4X DRAM 在保持相同 4,266 兆比特每秒（Mb/s）数据速率的同时，实现了最高 10% 的功耗降低。Samsung 还通过将四个10nm‑级 16Gb LPDDR4X DRAM 芯片（16Gb=2GB）组合，打造了8GB LPDDR4X 移动 DRAM 封装。其数据速率为34.1GB每秒，厚度相比第一代封装降低了超过 20%。公司补充说，将基于 1y‑nm 工艺的高端 DRAM 系列扩展幅度将超过 70%。

 “我们将继续扩大高端DRAM产品线，领跑‘高性能、高容量、低功耗’内存细分市场，以满足市场需求并增强我们的业务竞争力。” - Sewon Chun, 资深副总裁，内存销售与市场部，Samsung Electronics

注意： 1GB (GigaByte) = 8Gb (GigaBits)

Samsung 计划通过提供多种高容量产品，包括 4GB、6GB和 8GB LPDDR4X 封装，快速扩大其在移动 DRAM 市场的份额。

该公司最近还推出了 8Gb LPDDR5 移动版 DRAM。

来源： Samsung Newsroom